报告内容简介：
针对宽禁带半导体碳化硅、氮化镓、氧化镓、氮化铝、金刚石等材料，介绍目前国内外研究进展、介绍各材料的应用前景，并对产业化情况进行展望。
报告人简介：
徐现刚，教授，博士生导师。1992年获得山东大学凝聚态物理博士学位，师从于蒋民华院士。1995-1998年先后赴德国亚琛大学和加拿大西蒙弗雷泽大学读博士后。现任新一代半导体材料研究院院长。2000年留美回国至今，获教育部长江计划特聘教授，国家杰出青年科学基金，泰山学者特聘专家，国务院政府特殊津贴等。兼任国务院学位委员会委员，国家半导体照明工程研发及产业联盟指导委员会委员，中国光学光电子行业协会光电器件分会特聘专家等。主要从事光电薄膜材料、半导体单晶材料及相关芯片与器件问题研究。率先建成了国内半导体激光器外延材料、芯片、器件完整生产线，技术达到国际先进水平；自2000年开始SiC单晶生长和加工工作，掌握了SiC单晶生长炉研制、高质量半绝缘单晶生长、大直径衬底加工等多项关键技术，大幅推动了国产器件研制和衬底产业化进程。先后以首席科学家承担973项目，主持国家重大科技专项、自然科学基金重大科研仪器专项、863项目等二十余项关键研发工作。先后获山东省科技进步一等奖、山东省留学回国创业奖、山东省十大杰出青年、政府特殊津贴奖、国防科学技术进步一等奖、山东省技术发明一等奖等。